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WSN303 FET Hブリッジ

近日発売

POWER MOS FETを4個使用したHブリッジ回路部分の基板です。パターンを太くしてあります。端子台は付いてないので、太い線を直接はんだ付けし、外部にネジ式の端子台などを接続します。

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説明

  • 基板サイズ 75x25 [mm]
  • 放熱器を取り付け易いように基板の縁にMOS FETを配置しています。
  • 基板に取り付け用の穴が空いているため、シャーシなどに容易に固定できます。

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ドキュメント

基板レイアウト

説明

使用例

ご注意

プリント基板、部品販売 [近日発売]

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